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三菲化合物半导体光芯片制造基地项目签约落户太仓

放大字体  缩小字体 发布日期:2026-04-09
核心提示:4月8日,三菲化合物半导体光芯片制造基地项目签约落户城厢镇。项目计划总投资20亿元,其中,一期项目总投资10亿元,建成后将有力

4月8日,三菲化合物半导体光芯片制造基地项目签约落户城厢镇。项目计划总投资20亿元,其中,一期项目总投资10亿元,建成后将有力助推区域产业能级提升、未来产业发展。市委书记陈羔、上海三菲半导体有限公司董事长杨军共同见证项目签约。

三菲半导体成立于2002年,立足自有光芯片、电芯片、算法的核心技术能力,专注于模拟光和相干光的光电一体化解决方案。为进一步拓展业务、扩大产能,三菲决定在城厢镇投资建设三菲化合物半导体光芯片制造基地项目,主要从事InP激光器和光电探测器芯片、GaAs激光器芯片的研发与制造,打造外延生长、光芯片制造、光电融合一体化产业链。一期项目预计今年8月开工建设、2028年投产运营,达产后可实现年产值超10亿元。

来源:太仓发布

 
 
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